碳化硅陶瓷環的優勢及其簡介

上面幾篇文章科眾陶瓷廠帶大家了解了氮化硅陶瓷的一些性能以及其優勢，碳化硅因跟氮化硅的組成元素有一個不同，所以導致它們性能也有所不同，接下來讓給我們一起了解下碳化硅陶瓷以及用碳化硅做成的陶瓷環。

碳化硅陶瓷環

碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性強,耐暦性能好,硬度高,熱穩定性好,高溫強度大,熱膨脹系數小,熱導率大以及抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。用碳化硅制成的陶瓷環同樣具備碳化硅陶瓷的多種優良性能

因此,已經在石油、化工、機械、航天、核核能等領域大顯身手,日益受到人們的重視。可根據客戶要求進行結構陶瓷加工。例例如,SiC陶瓷可用作各類軸承、滾珠、噴嘴、密封件、、切切削工具、燃汽渦輪機葉片、渦輪增壓器轉子、反射屏和火箭燃燒室內襯等等。并且可根據客戶要求進行結構陶瓷加工。

SiC陶瓷的優異性能與其獨特結構密切相關。SiC是共價鍵很強的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC強度高、彈彈性模量大,具有優良的耐磨損性能。純SiC不會被HCI、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化,但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導體性,少量雜質的引入會表現出良好的導電性。此外,SiC還有優良的導熱性。

碳化硅陶瓷環

SiC具有a和β兩種晶型。β-SiC的晶體結構為立方晶系,Si和C分別組成面心立方晶格;a-SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體,其中,6H多型體為工業應用上最為普遍的一種。

在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩定性關系。在溫度低于1600℃時,SiC以β-SiC形式存在。當高于1600℃時,β-SiC緩慢轉變成a-SiC的各種多型體。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型體均需在2100℃C以上的高溫才易生成;對于6H-SiC,即使溫度超過2200C,也是非常穩定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小,因此,做量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩定關系変化。所以由此觀之碳化硅陶瓷同樣可作于耐高溫工業陶瓷。